| 发明名称 | 杂质导入方法、导入装置以及由其形成的半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在向基板导入杂质中能够进行高精度控制的杂质导入方法及杂质导入装置。在保持台(4)上载置被处理基板(5)并且由旋转驱动轴(13)旋转。在使真空泵(6)动作之后，停止利用真空泵(6)的排气，将计量腔室(7)内的一定量的等离子体发生用的物质(气体物质)通过喷嘴(14)导入到真空腔室(1)内。喷嘴(14)上具有多个微细喷嘴(19)，根据等离子体的激励强度，通过该微细喷嘴(19)在真空腔室(1)内产生空间上不均匀的气体流(15)。并且，由电源(3)驱动等离子体发生部(2)，对不均匀地导入到真空腔室(1)内的气体物质进行等离子体激励，在规定的时间内使被处理基板(5)暴露于等离子体中。 | ||
| 申请公布号 | CN1806314A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200480016193.4 | 申请日期 | 2004.06.08 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 水野文二;佐佐木雄一朗;中山一郎;金田久隆 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01L21/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1.一种杂质导入方法，其对含有要导入的杂质的物质进行等离子体激励，将所述杂质的等离子体从已被激励的所述物质导入到基体内，其特征在于，调整所述基体表面附近的所述物质的分布，以使所述等离子体的分布的至少一部分可相互抵消。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||