| 发明名称 | 紫外短波长区域发光的InAlGaN及其制备方法和使用它的紫外发光装置 | ||
| 摘要 | 为了发射在紫外短波长区域具有360nm或者更短波长的光线，配置这样一种InAlGaN，其中In组分比例为2％至20％、Al组分比例为10％至90％，并且In、Al和Ga组分的比例总和为100％。 | ||
| 申请公布号 | CN1264948C | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN01112377.X | 申请日期 | 2001.02.23 |
| 申请人 | 理化学研究所 | 发明人 | 平山秀树;青柳克信 |
| 分类号 | C09K11/64(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | C09K11/64(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 周慧敏 |
| 主权项 | 1.一种紫外发光装置，其特征在于，采用通过用氨、三甲基镓、三甲基铟加合物和三甲基铝作为原料气体的有机金属气相外延生长法、在830℃至950℃的生长温度下使晶体生长的InAlGaN发光层，该InAlGaN发光层是通过Al的导入而诱发地导入In，使In的组成比为2％至6％、并且Al的组成比为10％至90％，In、Al和Ga的组成比之和为100％的、在波长360nm以下的紫外短波长区域于室温下高效发光的InAlGaN发光层。 | ||
| 地址 | 日本和光市 | ||