发明名称 低消耗功率金属-绝缘体-半导体半导体装置
摘要 对由栅绝缘膜薄的MIS晶体管构成的逻辑门的工作电源线,配置这些栅绝缘膜厚度薄的电源开关晶体管,并使这些电源开关晶体管的栅极电压,以比逻辑门电路的晶体管的输入输出信号振幅大的振幅变化。因此,能够减小使用微加工制成的栅绝缘膜厚度薄的MIS晶体管的半导体装置的消耗电流,并且,能够使电源电压稳定。
申请公布号 CN1265459C 申请公布日期 2006.07.19
申请号 CN03149352.1 申请日期 2003.06.16
申请人 三菱电机株式会社 发明人 日高秀人
分类号 H01L27/08(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L27/08(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;叶恺东
主权项 1.一种半导体装置,其特征在于,包括:逻辑门,由具有第一栅绝缘膜的绝缘栅场效应晶体管构成,将内部电源节点的电压作为动作电源电压接收并动作,处理第一振幅信号;第一开关晶体管,在所述内部电源节点和第一电源节点之间连接,具有比所述第一栅绝缘膜的膜厚度厚的第二栅绝缘膜,响应比所述第一振幅大的第二振幅的开关控制信号选择性地导通,并在导通时,电连接所述第一电源节点和所述内部电源节点。
地址 日本东京都
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