发明名称 |
低消耗功率金属-绝缘体-半导体半导体装置 |
摘要 |
对由栅绝缘膜薄的MIS晶体管构成的逻辑门的工作电源线,配置这些栅绝缘膜厚度薄的电源开关晶体管,并使这些电源开关晶体管的栅极电压,以比逻辑门电路的晶体管的输入输出信号振幅大的振幅变化。因此,能够减小使用微加工制成的栅绝缘膜厚度薄的MIS晶体管的半导体装置的消耗电流,并且,能够使电源电压稳定。 |
申请公布号 |
CN1265459C |
申请公布日期 |
2006.07.19 |
申请号 |
CN03149352.1 |
申请日期 |
2003.06.16 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
日高秀人 |
分类号 |
H01L27/08(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/08(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
杨凯;叶恺东 |
主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:逻辑门,由具有第一栅绝缘膜的绝缘栅场效应晶体管构成,将内部电源节点的电压作为动作电源电压接收并动作,处理第一振幅信号;第一开关晶体管,在所述内部电源节点和第一电源节点之间连接,具有比所述第一栅绝缘膜的膜厚度厚的第二栅绝缘膜,响应比所述第一振幅大的第二振幅的开关控制信号选择性地导通,并在导通时,电连接所述第一电源节点和所述内部电源节点。 |
地址 |
日本东京都 |