磁阻效应磁头及其制造方法

摘要

本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底层，使磁畴控制膜与自由层的两侧端接触，可使除磁畴控制膜外所多余的偏置磁场以最小化的状态实现适当的磁畴控制。

主权项

1.一种磁阻效应磁头，其特征在于，具有：形成于基片上的下部磁屏蔽层，在上述下部磁屏蔽层上形成的磁畴控制底层、具有形成在上述磁畴控制底层上的底层、自由层、非磁性层、固定层及固定上述固定层的磁化方向的反强磁性层的多层膜，形成于上述磁畴控制底层上、与上述自由层的磁道宽度方向两端部接触、而且对上述自由层进行磁畴控制的磁畴控制膜，供给上述多层膜以电流的一对电极膜和形成于上述多层膜及上述电极膜上的上部磁屏蔽层。