发明名称 | 记忆体元件以及使用改良式参考储存格修补演算法来做正确读取作业窗控制之方法 | ||
摘要 | 本发明揭示一种记忆体元件,其包括复数个字元线,以及在复数个模式之一中作业且与该等字元线中至少一者耦合之复数个记忆体储存格。该记忆体元件亦包括复数个参考线及参考储存格。各参考储存格皆与该等作业模式中之一对应,针对该对应模式供应一参考电流,且与该等参考线中至少一者耦合。亦可将一来自参考储存格之参考储存格电流与一目标范围比较,若落在目标范围外,可因而调整在一对应参考线上的电压位准,使得参考电流落在目标范围之内(即,参考电流修补)。 | ||
申请公布号 | TW200625321 | 申请公布日期 | 2006.07.16 |
申请号 | TW094139871 | 申请日期 | 2005.11.14 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 谢文义;陈耕晖;洪俊雄;陈汉松;郭乃萍;林清淳;余传英 |
分类号 | G11C16/28 | 主分类号 | G11C16/28 |
代理机构 | 代理人 | 林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |