非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，首先提供一基底，并于此基底上依序形成第一介电层、电荷陷入层及第二介电层。于第二介电层上形成多个堆叠闸极结构，其中多个堆叠闸极结构各自包括第一闸极与顶盖层，且相邻两堆叠闸极结构之间具有一间隙。于第一闸极侧壁上形成氧化层，并移除未被堆叠闸极结构覆盖的第二介电层。于基底上形成第三介电层，并覆盖堆叠闸极结构。于基底上形成第二导体层。移除部分第二导体层，以于闸极结构之间的间隙中形成多个第二闸极，第二闸极与堆叠闸极结构构成记忆胞列。于记忆胞列两侧之基底中形成源极区及汲极区。