半导体基材及制造方法

摘要

本发明之内容系一种半导体基材，包括一单晶矽晶圆、一松弛、含有矽及锗之单晶层，该单晶层位于表面上，该层表面之锗含量为10％重量比至100％重量比，及一位于该表面下方、周期性配置空腔类之层。本发明之内容亦包括此种半导体基材之制造方法及由此种半导体基材产生之sSOI晶圆。