半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系在具有基底接触(body contact)之SOI装置中，使基底接触与基底区域之间具有所期望的电阻值，同时抑制该电阻值之不均等。其解决手段系在与SOI层3中之接触61的连接部分(即，元件隔离绝缘膜41之下方)，不形成杂质浓度高的P^＋区域，而使SOI层3与基底接触61形成肖特基接面。又，在基底接触61之表面形成有障壁金属61a，在基底接触61与SOI层3之间，形成有障壁金属61a与SOI层3起反应的金属矽化物70。