半导体积体电路装置之制造方法

摘要

为了提供以均匀膜厚再现性良好地形成高品质且膜厚5 nm以下的极薄闸氧化膜之技术，本发明供应低浓度含 有因触媒作用而由氢和氧产生之水的氧化种给半导体 晶圆主面或其附近，以可确保形成氧化膜的再现性及 氧化膜厚的均匀性程度的氧化膜成长速度在半导体晶 圆主面形成膜厚5 nm以下的氧化膜。