发明名称 | 以臭氧水成长超薄氧化层的方法 | ||
摘要 | 本发明将臭氧气体溶于去离子水中形成臭氧水,再将矽晶圆浸入臭氧水中成长超薄氧化层,用以取代传统制程中的高温成长超薄氧化层。本发明的优点为省时、省能、不需高温即可成长超薄、高密度、高均匀性的氧化层。 | ||
申请公布号 | TW200625473 | 申请公布日期 | 2006.07.16 |
申请号 | TW093139892 | 申请日期 | 2004.12.21 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 陈永裕;金光祖;陈秋美;罗正忠 |
分类号 | H01L21/4763 | 主分类号 | H01L21/4763 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |