发明名称 以臭氧水成长超薄氧化层的方法
摘要 本发明将臭氧气体溶于去离子水中形成臭氧水,再将矽晶圆浸入臭氧水中成长超薄氧化层,用以取代传统制程中的高温成长超薄氧化层。本发明的优点为省时、省能、不需高温即可成长超薄、高密度、高均匀性的氧化层。
申请公布号 TW200625473 申请公布日期 2006.07.16
申请号 TW093139892 申请日期 2004.12.21
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 陈永裕;金光祖;陈秋美;罗正忠
分类号 H01L21/4763 主分类号 H01L21/4763
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号