发明名称 | 多阶氮化矽唯读记忆胞的程式化方法 | ||
摘要 | 一种在氮化矽唯读记忆胞(nitride read–only memory cell)程式化资料区(data region)的方法。在已抹除状态下(erasedstate),氮化矽唯读记忆胞展示一低临界电压(thresholdvoltage)Vt值。要被程式化到最高临界电压Vt值的资料区,首先被程式化。氮化矽唯读记忆胞中剩下的资料区,按照它们临界电压Vt值递减的次序,先后被程式化。对这样一个氮化矽唯读记忆胞,即在已抹除状态下,展示一高临界电压Vt值的,其要被程式化到最低临界电压Vt值的资料区,首先被程式化,余下的资料区,按照它们临界电压Vt值递增的次序,先后被程式化。 | ||
申请公布号 | TW200625313 | 申请公布日期 | 2006.07.16 |
申请号 | TW094100036 | 申请日期 | 2005.01.03 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜;吴昭谊 |
分类号 | G11C16/02 | 主分类号 | G11C16/02 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |