发明名称 多阶氮化矽唯读记忆胞的程式化方法
摘要 一种在氮化矽唯读记忆胞(nitride read–only memory cell)程式化资料区(data region)的方法。在已抹除状态下(erasedstate),氮化矽唯读记忆胞展示一低临界电压(thresholdvoltage)Vt值。要被程式化到最高临界电压Vt值的资料区,首先被程式化。氮化矽唯读记忆胞中剩下的资料区,按照它们临界电压Vt值递减的次序,先后被程式化。对这样一个氮化矽唯读记忆胞,即在已抹除状态下,展示一高临界电压Vt值的,其要被程式化到最低临界电压Vt值的资料区,首先被程式化,余下的资料区,按照它们临界电压Vt值递增的次序,先后被程式化。
申请公布号 TW200625313 申请公布日期 2006.07.16
申请号 TW094100036 申请日期 2005.01.03
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 龙翔澜;吴昭谊
分类号 G11C16/02 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号