晶片结构及其凸块制程

摘要

一种凸块制程，其包括下列步骤。首先，提供一晶圆，而晶圆上已形成一保护层，且保护层系暴露出晶圆之多个接垫。然后，在这些接垫上形成一球底金属层。在保护层上形成一聚合物层，其中聚合物层系暴露出球底金属层。接着，在每一接垫之球底金属层上形成一凸块。基于上述，球底金属层具有较佳的品质。此外，本发明亦揭露一种晶片结构。