应力通道电晶体及其制造方法

摘要

本发明提供一电晶体及其制造方法。该电晶体包含一应力通道区，叠覆于一基底区之上，该基底区包含具有一第一晶格常数之一第一半导体材料，而该应力通道区包含具有一第二晶格常数之一第二半导体材料。一源极和一汲极，紧邻该应力通道区的相对两侧，而该源极和汲极的顶部包含具有一第三晶格常数之一第三半导体材料。一闸极介电层叠覆于该应力通道区之上，而一闸电极叠覆于该闸极介电层之上。