发明名称 雷射加工方法及半导体晶片
摘要 本发明系提供一种雷射加工方法,将形成含有多数个功能元件的积层部之基板加以切断之时,尤其可以高精度来切断积层部。在将保护胶带22黏贴在积层部16之表面16a后的状态下,藉由将基板4之背面4b作为雷射光射入面来照射雷射光L,使改质领域7沿着切断预定线5而确实地形成于基板4之内部,并产生从改质领域7的表面侧端部7a到达基板4之表面4a的龟裂24。产生如此之龟裂24的状态下,将扩张胶带23黏贴在基板4之背面4b并加以扩张时,不仅基板4且切断预定线5上之积层部16,即层间绝缘膜17a,17b沿着切断预定线5可精度良好地切断。
申请公布号 TW200624205 申请公布日期 2006.07.16
申请号 TW094139548 申请日期 2005.11.11
申请人 滨松赫德尼古斯股份有限公司 发明人 杉浦隆二;本刚志
分类号 B23K26/00;H01L21/00 主分类号 B23K26/00
代理机构 代理人 何金涂;何秋远
主权项
地址 日本