发明名称 积体热电冷却装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体积体热电装置,其系利用半导体薄膜及超大型积体电路(VLSI)制程,而形成具有高密度之热电元件阵列。举例而言,热电装置可分隔地形成并与半导体晶片结合,或者一体成型地(integrally)形成于半导体晶片之非主动区表面内。
申请公布号 TW200625702 申请公布日期 2006.07.16
申请号 TW094138394 申请日期 2005.11.02
申请人 万国商业机器公司 发明人 霍华 豪 陈;理查C. 朱;路易斯L. 许
分类号 H01L35/00;H01L21/02 主分类号 H01L35/00
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 美国