化合物半导体元件晶圆制造方法

摘要

一种化合物半导体元件晶圆制造方法，其方法包含有成长结晶棒、晶棒直径研磨、去角、研磨及抛光等步骤，其特征在于：在切片步骤前，作晶棒边缘抛光步骤，其系利用一车床使晶棒旋转，并将研浆液淋于晶棒表面，而以研磨垫将晶棒边缘抛光，藉以使晶棒释放应力，藉此，本发明于切片前，释放晶棒内部之应力，可避免切割晶圆后，晶圆于应力集中处裂开，如此即可有效节省半导体材料，以达较佳之经济效益。