于切割期间或切割后藉由蚀刻增加晶粒之强度

摘要

一种具有主动层之半导体晶圆系安装于载架上，而主动层系远离载架，且从该半导体晶圆的主面于载架上至少部分切晶粒。经至少部分切晶粒的半导体晶圆于载架上，从该主面使用自发性蚀刻剂蚀刻，来从该经至少部分切晶粒之半导体晶圆制造的晶粒去除足量半导体材料，经由去除至少若干因切晶粒造成的缺陷来改良晶粒的挠曲抗弯强度。