含镓氮化物半导体单晶、其制造方法以及使用该单晶之基板及装置

摘要

含Ga氮化物半导体单晶之特征在于(a)藉由450 nm波长之光照射含Ga氮化物半导体单晶所量测之最大反射率为20％或更小且最大反射率与最小反射率之差在10％以内，(b)藉由阴极发光法所量测之位错密度的最大值与最小值之比率(最大值／最小值)为10或更少，及／或(c)藉由时差式光致发光法所量测之寿命为95 ps或更长。