高迁移率之主动矽P型场效电晶体HIGH-MOBILITY BULK SILICON PFET

摘要

一种场效电晶体及制造此场效电晶体之方法。场效电晶体包含一闸极电极形成于一闸极介电层之顶表面，闸极介电层位在一单晶矽通道区之顶表面上。单晶矽通道区位于一含锗(Ge)层之顶表面上，含锗(Ge)层则位于一单晶矽基板之顶表面上。含锗(Ge)层位于单晶矽基板顶表面上之一第一介电层与一第二介电层之间。