供以使用于半导体元件的形成之板状基体及其制造方法

摘要

本发明可提供一种弯曲少的板状半导体基体。此板状半导体基体具有矽基板，及用以形成在此矽基板上经由氮化物半导体所构成的缓冲区域(3)来配置时半导体元件的主要部之主半导体区域。缓冲区域(3)是以多层构造的复数个第1缓冲区域(9)和单层构造的复数个第2缓冲区域(10)的交互积层体来形成。在第2缓冲区域(10)中含有空隙(15)。藉由在多层构造的第1缓冲区域(9)的相互间配置具有空隙(15)的第2缓冲区域(10)，可改善半导体基体的弯曲，以及半导体区域的结晶性。