具有复合式衬垫之浅沟渠隔离元件的形成方法

摘要

本发明系揭露一种具有复合式衬垫之浅沟渠隔离元件的形成方法，其系在一半导体基底表面形成一垫氧化层与氮化矽罩幕层后，利用蚀刻技术形成浅沟渠，再于浅沟渠内表面依序沈积一氮化矽层及一原位蒸气产生(ISSG)氧化层，最后在浅沟渠中填满一层氧化物，以形成浅沟渠隔离元件。本发明之方法系可解决凹陷现象之问题，减少扭曲效应的产生，并藉此增进元件电性。