| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
| 摘要 |
Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, in welchem ein Ätzprozess zum Bilden eines M1-Grabens für eine Bitleitung auf einer Nitrid-Ätzstoppschicht gestoppt wird und die Bitleitung auf der Nitridschicht gebildet wird.
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| 申请公布号 |
DE102005028630(A1) |
申请公布日期 |
2006.07.13 |
| 申请号 |
DE200510028630 |
申请日期 |
2005.06.20 |
| 申请人 |
HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON |
发明人 |
KIM, JAE HEON |
| 分类号 |
H01L21/8247 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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