| 发明名称 |
Dram auf Silizium-auf-Isolator |
| 摘要 |
In einem Halbleiterherstellungsverfahren für einen dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff isoliert ein verdeckter Isolationslayer, ein solcher wie ein verdeckter SIMOX-Layer zwischen Grabenkondensatoren, den Kondensator von dem Zugriffstransistor, wobei Leckage begrenzt, Leistungsfähigkeit der Vorrichtung verbessert und Herstellung vereinfacht wird.
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| 申请公布号 |
DE102005054414(A1) |
申请公布日期 |
2006.07.13 |
| 申请号 |
DE200510054414 |
申请日期 |
2005.11.15 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES RICHMOND LP, SANDSTON |
发明人 |
DAVIS, JONATHAN PHILIP;FULLER, ROBERT;RENNIE, MICHAEL |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L21/84 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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