发明名称 Selektive Aufschlämmung zum chemisch-mechanischen Polieren
摘要 Die Erfindung betrifft eine wässrige Lösung, die zum selektiven Entfernen in der Gegenwart eines low k-Dielektrikums geeignet ist. Die wässrige Lösung umfasst 0 bis 25 Gew.-% eines Oxidationsmittels, 0,00002 bis 5 Gew.-% eines grenzflächenaktiven Mittels aus mehreren Komponenten, wobei das grenzflächenaktive Mittel aus mehreren Komponenten einen hydrophoben Schwanz, einen nichtionischen hydrophilen Abschnitt und einen anionischen hydrophilen Abschnitt aufweist, wobei der hydrophobe Schwanz 6 bis 30 Kohlenstoffatome und der nichtionische hydrophile Abschnitt 10 bis 300 Kohlenstoffatome aufweist, 0 bis 15 Gew.-% eines Inhibitors für ein Nichteisenmetall, 0 bis 50 Gew.-% Schleifmittel, 0 bis 20 Gew.-% eines Komplexierungsmittels für ein Nichteisenmetall und Wasser.
申请公布号 DE102005058271(A1) 申请公布日期 2006.07.13
申请号 DE200510058271 申请日期 2005.12.06
申请人 ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. 发明人 BIAN, JINRU
分类号 C09G1/10;C09K3/14;H01L21/302 主分类号 C09G1/10
代理机构 代理人
主权项
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