Nichtflüchtige ferroelektrische Speichervorrichtung

摘要

Es wird eine nichtflüchtige ferroelektrische Speichervorrichtung bereitgestellt, in der die Schreib/Lese-Vorgänge einer nichtflüchtigen Speicherzelle unter Ausnutzung des Kanalwiderstandes der Speicherzelle, der mit dem Polarisationszustand eines ferroelektrischen Materials variiert, kontrolliert werden. In der Speichervorrichtung ist eine isolierende Schicht auf einer unteren Wortleitung gebildet, und eine Floating-Kanal-Schicht mit einer N-leitenden Drainzone, einer P-leitenden Kanalzone sowie einer N-leitenden Sourcezone ist auf der isolierenden Schicht gebildet. Weiterhin ist eine ferroelektrische Schicht auf der Floating-Kanal-Schicht gebildet und eine Wortleitung ist auf der ferroelektrischen Schicht gebildet. Dadurch wird der in die Kanalzone induzierte Widerstandszustand in Abhängigkeit von der Polarität der ferroelektrischen Schicht kontrolliert, wodurch die Schreib/Lese-Vorgänge der Speicherzellen-Anordnung gesteuert werden.