Mehrstufige Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren von Siliziumdioxid und Siliziumnitrid

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Polieren von Silica und Siliziumnitrid auf einem Halbleiterwafer bereit, das den Schritt des Planarisierens des Silica mit einer ersten wässrigen Zusammensetzung umfasst, die 0,01 bis 5 Gew.-% eines Carbonsäurepolymers, 0,02 bis 6 Gew.-% Schleifmittel, 0,01 bis 10 Gew.-% Polyvinylpyrrolidon, 0 bis 5 Gew.-% einer kationischen Verbindung, 0 bis 1 Gew.-% Phthalsäure und Salze davon, 0 bis 5 Gew.-% einer zwitterionischen Verbindung und als Rest Wasser umfasst, wobei das Polyvinylpyrrolidon ein durchschnittliches Molekulargewicht von 100 g/mol bis 1000000 g/mol aufweist. Das Verfahren stellt ferner das Erfassen eines Endpunkts der Planarisierung und das Abtragen des Silica mit einer zweiten wässrigen Zusammensetzung bereit, die 0,001 bis 1 Gew.-% einer quartären Ammoniumverbindung, 0,001 bis 1 Gew.-% Phthalsäure und Salze davon, 0,01 bis 5 Gew.-% eines Carbonsäurepolymers, 0,01 bis 5 Gew.-% Schleifmittel und als Rest Wasser umfasst.