基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺

摘要

本发明一种基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺，属于半导体技术中的微细加工领域，其工艺步骤如下：1.在自支撑薄膜正面上淀积薄铬薄金；2.在薄铬薄金表面上甩电子束胶，电子束曝光、显影；3.将片子放在电镀液中第一次电镀金属；4.片子正面甩X射线光刻胶；5.从自支撑薄膜背面进行X射线曝光、显影；6.继续将片子放在电镀液中第二次电镀金属；7.去胶、去底铬底金，完成高高宽比深亚微米、纳米金属结构制。本发明采用一次正面电子束光刻，一次背面X射线自对准曝光，两次电镀获得高高宽比深亚微米、纳米金属结构，具有很强的实用价值，适合大批量生产。

主权项

1、一种基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺，其特征在于，高高宽比深亚微米、纳米金属结构的形成是由常规的电子束光刻、电镀方法先在自支撑薄膜上获得低高宽比深亚微米、纳米金属结构，再在该金属结构上甩X射线光刻胶，从背面进行自对准X射线曝光，再继续电镀出高高宽比深亚微米、纳米金属结构，最后去胶、去薄铬铂金层，从而制成基于自支撑薄膜的高高宽比深亚微米、纳米金属结构。