发明名称 经改进的成像装置的遮光层
摘要 一种经改进的成像装置像素的结构,在像素电路至少但在像素导电互连层之下设有遮光层。遮光层可为不透光(或几乎不透光)材料的薄膜,并有孔供接触体连接到下面的电路。遮光层中的开口露出像素的光电转换器的活性区。
申请公布号 CN1802750A 申请公布日期 2006.07.12
申请号 CN200480015732.2 申请日期 2004.04.08
申请人 微米技术有限公司 发明人 H·E·罗德斯
分类号 H01L27/146(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杨凯;张志醒
主权项 1.一种成像装置,包括:像素光电转换器;与所述像素光电转换器电连接的像素电路;遮光层,所述遮光层设于所述像素电路之上,并在所述光电转换器之上有透光区域;以及至少一层互连层,所有所述互连层设于所述遮光层之上。
地址 美国爱达荷州