| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中可以有利地填充具有高宽高比开口的接触孔，而不采用传统的CMP工艺。本发明的另一个目的是提供一种采用比传统方法更少的步骤形成引线的方法，并且提供一种在高成品率下制造高度集成的半导体器件的方法。根据本发明，在具有多个空气孔的绝缘膜的表面上形成具有斥水性表面的膜，通过采用光照射具有斥水性表面的膜的一部分而形成具有亲水性表面的区域，以及通过在所述具有亲水性表面的区域上释放并且烘焙具有导电颗粒的液体材料而形成导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1801461A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200510129041.1 | 申请日期 | 2005.11.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 森末将文;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：在单晶半导体衬底上形成多孔绝缘膜；蚀刻多孔绝缘膜从而形成接触孔；在多孔绝缘膜和接触孔上形成具有斥水性表面的膜；通过采用光照射膜的一部分，形成具有亲水性表面的区域；以及通过在所述区域上释放并烘焙具有导电颗粒的液体材料而形成导电膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||