| 发明名称 | In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>－SnO<SUB>2</SUB>纳米涂膜材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>－SnO<SUB>2</SUB>纳米涂膜材料及其制备方法。其成分按照重量百分比含量为：氧化铟70～90％，氧化锡0.5～20％，氧化锌0.5～15％，稀土元素化合物0.001～1％。其制备方法包括按比例将氯化铟或金属铟，氯化锡，氯化锌，稀土元素化合物溶解配制成溶液；加热保持温度为50－80℃，pH值在7.0～10.0之间水解，过滤，干燥，煅烧，剪切即得铟锡氧化物纳米涂膜材料。本发明与现有技术相比，可以提高原材料的利用率，降低成本，简化制备工艺，从分子设计水平控制材料的性能与粒度，具有透光率高，导电性能好，适用于大面积的镀膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1801400A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200510031117.7 | 申请日期 | 2005.01.07 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 段学臣;毛黎明;朱协彬 |
| 分类号 | H01B1/08(2006.01) | 主分类号 | H01B1/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中南大学专利中心 | 代理人 | 龚灿凡 |
| 主权项 | 1.一种In2O3-SnO2纳米涂膜材料，其特征在于：其成分按照重量百分比含量为：氧化铟70～90％，氧化锡0.5～20％，氧化锌0.5～15％，稀土元素化合物0.001～1％，直径在8～40nm之间。 | ||
| 地址 | 410083湖南省长沙市麓山南路1号 | ||