| 发明名称 | 氧化铜薄膜低摩擦材料及其成膜方法 | ||
| 摘要 | 本申请的发明涉及在成膜用基板上由等离子沉积形成以CuO为主的氧化铜薄膜，并可显著低地控制其摩擦系数。 | ||
| 申请公布号 | CN1802449A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200480010869.9 | 申请日期 | 2004.04.23 |
| 申请人 | 独立行政法人物质·材料研究机构 | 发明人 | 后藤真宏;笠原章;大石哲雄;土佐正弘;吉原一纮 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01);C23C14/34(2006.01) | 主分类号 | C23C14/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 1.氧化铜薄膜低摩擦材料的成膜方法，其特征在于：在成膜用基板上，在真空减压下，由等离子沉积形成以CuO为主的氧化铜薄膜。 | ||
| 地址 | 日本茨城县 | ||