| 发明名称 | 高频开关晶体管和高频电路 | ||
| 摘要 | 一种高频开关晶体管(100；200)包括具有衬底掺杂剂浓度的衬底(102)和与该衬底相邻的阻挡区(104)，该阻挡区(104)具有第一导电类型，其中阻挡区掺杂剂浓度比该衬底掺杂剂浓度高。而且，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的源区(108)，其包括不同于第一导电类型的第二导电类型，且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的源区掺杂剂浓度。另外，该高频开关晶体管(100；200)包括嵌入在阻挡区中的漏区(110)，且设置得偏离源区(108)，其包括第二导电类型且具有比阻挡区掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有在源区(108)和漏区(110)之间延伸的沟道区(112)，其中沟道区(112)包括阻挡区(104)的子区域。而且，该高频开关晶体管(100；200)具有绝缘区(114)，其覆盖沟道区(112)且其设置在沟道区(112)和栅电极(114)之间。这种高频开关晶体管(100；200)允许开关具有较高高频信号幅度的高频信号，如可由常规的高频开关晶体管开关的。 | ||
| 申请公布号 | CN1801620A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200510120141.8 | 申请日期 | 2005.11.07 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | R·罗斯兰德;H·塔迪肯;U·格尔拉赫 |
| 分类号 | H03K17/693(2006.01);H01P1/15(2006.01) | 主分类号 | H03K17/693(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种高频开关晶体管(100；200)，包括：具有衬底掺杂剂浓度的衬底(102)；与衬底(102)相邻的阻挡区(104)，包括第一导电类型且具有比该衬底掺杂剂浓度更高的阻挡区掺杂剂浓度；嵌入在阻挡区(104)中的源区(108)，包括不同于第一导电类型的第二导电类型，且具有比该阻挡区掺杂剂浓度更高的源区掺杂剂浓度；嵌入在阻挡区(104)中的漏区(110)，且设置得偏移源区(108)，包括第二导电类型且具有比该阻挡区掺杂剂浓度更高的掺杂剂浓度；在源区(108)和漏区(110)之间延伸的沟道区(112)，其中沟道区(112)包括阻挡区(104)的子区域；以及绝缘区(114)，其覆盖沟道区(112)，且设置在该沟道区和栅电极(116)之间。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||