发明名称 |
CMOS图像传感器的滤色器阵列及其重新形成方法 |
摘要 |
本发明提供了一种CMOS图像传感器的滤色器阵列及其重新形成方法,其中,该方法包括以下步骤:通过去除第一微透镜、第一外涂层材料图样、以及第一滤色器阵列来暴露第一盖氧化层;去除所暴露的第一盖氧化层;在半导体衬底的整个表面上形成第二盖氧化层;在第二盖氧化层上形成与单位像素阵列区相对应的第二滤色器阵列;在第二滤色器阵列上形成第二外涂层材料图样;通过选择性地蚀刻第二盖氧化层来暴露金属焊盘;以及在第二外涂层材料图样上形成第二微透镜。 |
申请公布号 |
CN1801494A |
申请公布日期 |
2006.07.12 |
申请号 |
CN200510131914.2 |
申请日期 |
2005.12.15 |
申请人 |
东部亚南半导体株式会社 |
发明人 |
车东权 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
余刚 |
主权项 |
1.一种CMOS图像传感器的滤色器阵列,所述CMOS图像传感器包括:半导体衬底,被分成单位像素阵列区和焊盘区;金属焊盘,形成在所述半导体衬底的所述焊盘区中;以及第一盖氧化层、第一滤色器阵列、第一外涂层材料图样、和第一微透镜层,顺序地形成在所述单位像素阵列区中;通过去除所述第一微透镜层、所述第一外涂层材料图样、以及所述第一滤色器阵列来暴露出所述第一盖氧化层,并去除所暴露出的第一盖氧化层;所述滤色器阵列包括:第二盖氧化层,在所述半导体衬底的整个表面上形成;第二滤色器阵列,其在所述第二盖氧化层上形成,与所述单位像素阵列区相对应;第二外涂层材料图样,在所述第二滤色器阵列上形成;所述金属焊盘,其通过选择性地蚀刻所述第二盖氧化层来暴露;以及第二微透镜层,其在所述第二外涂层材料图样上形成。 |
地址 |
韩国首尔 |