| 发明名称 | 修复半导体器件中损伤层的方法 | ||
| 摘要 | 受损伤的多孔OSG层和其它的损伤可以被化学修复。在亚90nmILD内的多孔OSG中，化学修复是特别有利的。例如，可以借助于使损伤与粘合促进剂发生反应来进行化学修复，此粘合促进剂的“k”值与损伤材料中所希望的“k”值可比拟。可以对损伤的多孔OSG层(亲水性的)进行控制，以便防止它们允许潮气到达铜线。在具有多孔OSG几何形状的ILD中，不希望有的铜外扩散能够得到控制。 | ||
| 申请公布号 | CN1801463A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200510125167.1 | 申请日期 | 2005.11.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 陈行聪;考什克·阿郎·库马尔;凯利·马罗尼 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种修复半导体器件中损伤层的方法，它包含：使具有悬挂O-键(可选地以-OH的形式出现)的损伤层与化学修复剂接触；以及使损伤层与化学修复剂发生反应，直至形成化学修复层。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||