| 发明名称 | 高密度可录式光记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种可录式光记录介质，且特别涉及一种高密度可录式光记录介质。该光记录介质包括一基材，该基材上沉积有一记录层，该记录层包括至少一种下式(I)表示的激光吸收染料：∴其中Q为苯环，R<SUB>1</SUB>、R<SUB>2</SUB>为C<SUB>1-8</SUB>烷基，Y为C<SUB>1-4</SUB>烷氧基或氢，X-为一阴离子。 | ||
| 申请公布号 | CN1264152C | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN02119043.7 | 申请日期 | 2002.05.08 |
| 申请人 | 国硕科技工业股份有限公司 | 发明人 | 颜光甫 |
| 分类号 | G11B7/24(2006.01) | 主分类号 | G11B7/24(2006.01) |
| 代理机构 | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人 | 何为 |
| 主权项 | 1.一种高密度可录式光记录介质，其特征在于，它包括一基材，所述基材上沉积了一记录层，所述记录层包括至少一种由下式(I)表示的激光吸收染料：<img file="C021190430002C1.GIF" wi="1318" he="460" />其中，Q为苯环，R<sub>1</sub>、R<sub>2</sub>为C<sub>1-8</sub>烷基，Y为C<sub>1-4</sub>烷氧基或氢，X<sup>-</sup>为一阴离子。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||