发明名称 |
镀覆基底的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种用于涂敷或镀覆的示范性的可配置真空系统和方法,该系统和方法能够处理具有显著不同形状和尺寸的基底。该可配置真空系统包括真空工作台组件和真空室。该真空工作台组件可包括支撑架,绝缘表面,安装在支撑架上的机械传动件,安装在支撑架上的馈电通路,位于在第一丝极导电体和第二丝极导电体之间的绝缘表面上的丝极,通过丝极电源接头的第一丝极电源触点与第一丝极导电体电连接、并通过丝极电源接头的第二丝极电源触点与第二丝极导电体电连接的丝极电源接头,以及可支撑基底的平台。真空室可包括在门上有主开口的真空室、限定内部空间的墙壁、丝极电源接头、馈电通路接头、机械传动接头、可接受并支撑真空室内的真空工作台组件的轨道。真空工作台组件和真空室的各种接头可以自动地相互连接。 |
申请公布号 |
CN1800442A |
申请公布日期 |
2006.07.12 |
申请号 |
CN200510120252.9 |
申请日期 |
2001.05.22 |
申请人 |
基础资源有限公司 |
发明人 |
杰里·D·基德;克雷格·D·哈林顿;丹尼尔·N·霍普金斯 |
分类号 |
C23C14/48(2006.01);C23C14/54(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/48(2006.01) |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
林潮;樊卫民 |
主权项 |
1.一种镀覆基底的方法,包括:将具有螺纹表面的基底设置于真空室中;将沉积物质设置于真空室内的蒸发源中,所述沉积物质包括至少一种第一金属;将所述真空室中的初始压力降至4毫乇以下;一种气体以使得所述真空室中的压力能升高到0.1-4毫乇之间的流速通过所述真空室;将负压直流信号在负1伏到负5000伏的电压振幅下施加到所述基底;将射频信号在1瓦到50瓦的能级下施加于所述基底;以及将所述沉积物质加热到所述沉积物质的熔点温度以上,由此在所述真空室中产生等离子体,其中所述等离子体包括正电性沉积物质离子和负电性电子的混合物,并且其中所述沉积物质离子镀覆于所述基底上得到经镀覆的基底。 |
地址 |
美国得克萨斯州 |