| 发明名称 | 金属－电介质－金属电容 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种金属－电介质－金属电容，旨在提供一种可增大单位硅片面积的电容容量的金属－电介质－金属电容。其技术方案的要点是：包括下部电极、电介质膜、上部电极，在制作电容的区域上的层间膜上设置有凹槽，在所述凹槽上设置下部电极；在所述下部电极上设有所述电介质膜，在所述电介质膜上设有所述上部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN2796101Y | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200420019415.5 | 申请日期 | 2004.01.13 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 肖胜安 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01G4/33(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蒋方凯 |
| 主权项 | 1、一种金属-电介质-金属电容，包括下部电极、电介质膜、上部电极，其特征在于：在制作电容的区域上的层间膜上设置有凹槽，在所述凹槽上设置下部电极；在所述下部电极上设有所述电介质膜，在所述电介质膜上设有所述上部电极。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东川桥路1188号 | ||