| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置，在向负载(EL像素及信号线)供给电流的晶体管中，可以不受偏差的影响供给正确的电流。使用采用放大电路的反馈电路，调节晶体管的各端子的电压。通过从电流源电路向晶体管输入电流Idata，利用反馈电路设定晶体管流过电流Idata所必需的栅源间电压(源电位)。反馈电路，通过控制使晶体管的漏电位成为规定的电位而动作。从而设定电流Idata流动所必需的栅电压。于是，在使用设定的晶体管时，可以向负载(EL像素及信号线)供给正确的电流。另外，因为可以控制漏电位，所以可以减小纽结(欧力)效应的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1802681A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200480015745.X | 申请日期 | 2004.05.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 木村肇 |
| 分类号 | G09G3/30(2006.01);G09G3/20(2006.01) | 主分类号 | G09G3/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 岳耀锋 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：具有利用晶体管来控制向负载供给的电流的电路，上述晶体管的源或漏与电流源电路相连接，具有在从上述电流源电路向上述晶体管供给电流时，控制上述晶体管的栅源间电压和漏源间电压的放大电路。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||