半导体光装置

摘要

提供具有在制造、安装工序中防止波导区损伤的结构的半导体光装置。脊形波导型的半导体光装置，包括被1对台面沟夹着的波导区、台面沟的外方的第1安装区以及第2安装区、设在第1安装区的第1隔离层以及设在第2安装区的第2隔离层、与波导区的上部覆层电连接、从波导区的上部延伸到第1安装区的上部的第1金属层、以及设在第2安装区的上部的第2金属层，从半导体衬底的背面到第1安装区的第1金属层的上端的高度以及从半导体衬底的背面到第2安装区的第2金属层的上端的高度，均比从半导体衬底的背面到波导区的第1金属层的上端的高度高。

主权项

1.一种半导体光装置，是脊形波导型的半导体光装置，其特征在于：包括具有表面和背面的半导体衬底、在该半导体衬底的表面上依次叠层的下部覆层、活性层以及上部覆层、由至少掘入该上部覆层且大致平行设置的1对台面沟所夹的波导区、在该1对台面沟的外方分别设置的第1安装区和第2安装区、在该第1安装区的该上部覆层上设置的第1隔离层、以及在第2安装区的该上部覆层上设置的第2隔离层、与该波导区的该上部覆层电连接且从该波导区的上部延伸到该第1安装区的上部的第1金属层、以及设在第2安装区的上部的第2金属层；从该半导体衬底的背面到该第1安装区的该第1金属层的上端的高度、以及从该半导体衬底的背面到该第2安装区的该第2金属层的上端的高度，均大于从该半导体衬底的背面到该波导区的该第1金属层的上端的高度0.4μm。