| 发明名称 | 深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法 | ||
| 摘要 | 深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法，包括：步骤S101，用TEM定性定位检测半导体器件样品，确定半导体器件检测样品中是否存在硅晶体缺陷/位错缺陷，并确定缺陷的类型。步骤S102，如果半导体器件中存在缺陷，样品用本发明的扫描电子显微镜(SEM)检测样品腐蚀处理溶液腐蚀处理检测样品；步骤S103，用扫描电子显微镜(SEM)检测样品的剖面，可以确定缺陷存在的膜层位置，和确定缺陷是否是致命缺陷。制备SEM检测样品腐蚀溶液，包括：HNO<SUB>3</SUB>、CH<SUB>3</SUB>COOH、HF、Cu(NO<SUB>3</SUB>)<SUB>2</SUB>搅拌混合形成的混合酸溶液。 | ||
| 申请公布号 | CN1801470A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200510023151.X | 申请日期 | 2005.01.06 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郭志蓉;潘敏;秦天;陈险峰 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);G01R31/26(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英 |
| 主权项 | 1、深次微米半导体器件中致命缺陷的确认方法，包括以下步骤：步骤S101，在用MOSAID(金属-氧化物-半导体存储器件测试机)/PVC(电位衬度定位法)确认的位置，用聚焦离子束(FIB)制备透射电子显微镜(TEM)检测样品，用透射电子显微镜(TEM)定性定位检测半导体器件样品，确定半导体器件检测样品中是否存在硅晶体缺陷/位错缺陷，并确定缺陷的类型；步骤S102，如果半导体器件中存在缺陷，那么，样品用本发明的扫描电子显微镜(SEM)检测样品腐蚀处理溶液腐蚀处理检测样品，由于半导体器件中各个膜层的腐蚀速度不同，腐蚀后的样品可以清楚地显示出各膜层的结构；步骤S103，用扫描电子显微镜(SEM)检测样品的剖面，可以确定缺陷存在的膜层位置，和确定缺陷是否是致命缺陷。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号 | ||