| 发明名称 | 减少裂解反应器中的结焦 | ||
| 摘要 | 为了减少在烃类或其它有机化合物裂解反应器的金属壁和在位于该裂解反应器后面的换热器的金属壁上的结焦，使与此待裂解的有机化合物接触的金属表面用含有至少一种硅化合物和至少一种硫化合物的水蒸气气流进行预处理。 | ||
| 申请公布号 | CN1263828C | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN00816171.2 | 申请日期 | 2000.09.18 |
| 申请人 | 阿托菲纳公司;特克尼普有限公司 | 发明人 | F·胡姆布洛特;C·布伦;H·M·维尔德;P·F·范登奥斯特坎普 |
| 分类号 | C10G9/16(2006.01) | 主分类号 | C10G9/16(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马崇德;钟守期 |
| 主权项 | 1.减少在烃类或其它有机化合物裂解反应器的金属壁上和在位于该裂解反应器后面的换热器的金属壁上结焦的方法，其特征在于，在750～1050℃的温度下将与待裂解有机化合物接触的金属表面用含有六甲基二硅氧烷和二甲基二硫化物的水蒸气气流进行裂解反应器的预处理1～6小时，在400～700℃的温度下将与待裂解有机化合物接触的金属表面用含有六甲基二硅氧烷和二甲基二硫化物的水蒸气气流进行位于该裂解反应器后面的换热器的预处理1～6小时，其中在水蒸气气流中二甲基二硫化物和六甲基二硅氧烷的质量浓度为50～5000ppm，Si∶S原子比为2∶1至1∶2。 | ||
| 地址 | 法国普托 | ||