| 发明名称 | 多重栅极结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种多重栅极结构及其制造方法，其结构包括：多个鳍型半导体层，沿一第一方向大体平行地排列，且由多个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑，其中上述鳍型半导体层的底面大于与其与绝缘台地的接触面；以及一栅极导电层，沿一第二方向延伸且覆盖于上述鳍型半导体层的部分表面上，且于栅极导电层与其所覆盖的上述鳍型半导体层之间更设置有一栅极介电层，其中此栅极介电层更包覆于该栅极导电层所覆盖部分表面内的此等鳍型半导体层的底面。 | ||
| 申请公布号 | CN1264217C | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200310101713.9 | 申请日期 | 2003.10.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈豪育;杨育佳;杨富量 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种多重栅极结构，其特征在于所述多重栅极结构包括：多个鳍型半导体层，沿一第一方向平行地排列，且由多个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑，其中该鳍型半导体层的底面大于与该绝缘台地的接触面；以及一栅极导电层，沿一第二方向延伸且覆盖于该鳍型半导体层的部分表面上，且于该栅极导电层与其所覆盖的该鳍型半导体层之间更设置有一栅极介电层，其中该栅极介电层更包覆于该栅极导电层所覆盖部分表面内的该鳍型半导体层的底面。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||