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发明名称 HIGH BRIGHTNESS GALLIUM NITRIDE-BASED LIGHT EMITTING DIODE WITH TRANSPARENT CONDUCTING OXIDE SPREADING LAYER
摘要
申请公布号 KR100599666(B1) 申请公布日期 2006.07.12
申请号 KR20050031037 申请日期 2005.04.14
申请人 发明人
分类号 H01L31/109;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/42 主分类号 H01L31/109
代理机构 代理人
主权项
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