发明名称 等离子体增强薄膜沉积方法及装置
摘要 本发明提供一种等离子体增强薄膜沉积装置及薄膜沉积方法。其中,该装置包括:一密闭腔室;一电磁装置,用以于该腔室内预定的等离子体发生区域产生预定强度的磁场;一微波装置,用以产生微波并发射微波至该等离子体发生区域;一对溅射靶,彼此相对设置于该腔室内的等离子体发生区域两侧,各溅射靶分别与一阴极接触;及一固持器,用以固持待处理的工件;其中,该微波的频率匹配该磁场强度足以产生电子回旋共振,藉此产生高能离子轰击该溅射靶,使得靶材原子激发出来并沉积于工件表面形成薄膜。本发明具有靶材来源广,薄膜质量优良之特点。另外,本发明还揭示一种利用等离子体沉积薄膜的方法。
申请公布号 CN1800441A 申请公布日期 2006.07.12
申请号 CN200510032719.4 申请日期 2005.01.05
申请人 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 发明人 陈杰良
分类号 C23C14/35(2006.01);C23C14/46(2006.01) 主分类号 C23C14/35(2006.01)
代理机构 代理人
主权项 1.一种等离子体增强薄膜沉积装置,其包括:一密闭腔室,其具有反应气体入口及抽真空系统;一电磁装置,用以于该腔室内预定的等离子体发生区域产生预定强度的磁场;一微波装置,用以产生微波并发射微波至该等离子体发生区域;其特征在于,还包括一对溅射靶,彼此相对设置于该腔室内的等离子体发生区域二侧,各溅射靶分别与一阴极接触;及一固持器,用以固持待处理的工件;其中,该微波的频率匹配该磁场强度足以产生电子回旋共振,藉此产生等离子体离子轰击该溅射靶,使得靶材原子激发出来并沉积于工件表面形成薄膜。
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