| 发明名称 | 用于刻蚀高k介电材料的方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明描述了一种用于在等离子体处理系统中刻蚀衬底上的高k介电层的方法。高k介电层可以例如包括HfO<SUB>2</SUB>。该方法包括提升衬底温度到超过200C(即，一般为400C的量级)；引入包括含卤素气体的处理气体；从处理气体激发等离子体；以及将衬底暴露于等离子体。处理气体还可以包括还原气体以提高HfO<SUB>2</SUB>相对于Si和SiO<SUB>2</SUB>的刻蚀速率。 | ||
| 申请公布号 | CN1802732A | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
| 申请号 | CN200480014635.1 | 申请日期 | 2004.05.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 陈立;神原弘光;岩间信浩;梅克廓;持木宏政;萩原正明 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王怡 |
| 主权项 | 1.一种用于在等离子体处理系统中刻蚀位于衬底支座顶部的衬底上的高k介电层的方法，包括：提升所述衬底的温度到超过200C；向所述等离子体处理系统引入处理气体，所述处理气体包括含卤素的气体；从所述处理气体激发等离子体；以及将所述衬底暴露于所述等离子体一段时间，这段时间足以刻蚀所述高k介电层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||