发明名称 | IC芯片破损少的薄型高频模块 | ||
摘要 | 本发明提供性能良好、IC芯片破损少的薄型高频模块。其中具有:由多块陶瓷薄片(2)积层而形成的绝缘基体(1)、以及在该绝缘基体(1)上表面形成的绝缘层(7),在上述绝缘层(7)的上表面上形成薄膜电路(10),该薄膜电路(10)包括用薄膜形成的布线图形(8)、以及与该布线图形(8)相连接,用薄膜形成的至少由电阻或/和电容器构成的电子元件(9),所以,能制成与过去相比精度更高的电子元件,能提供性能更好的高频模块。 | ||
申请公布号 | CN1264215C | 申请公布日期 | 2006.07.12 |
申请号 | CN02157873.7 | 申请日期 | 2002.12.23 |
申请人 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 发明人 | 松田重俊 |
分类号 | H01L25/00(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
主权项 | 1、一种高频模块,其特征在于具有:由多块陶瓷薄片积层而形成的绝缘基体、以及在该绝缘基体的上表面形成的绝缘层,在上述绝缘层的上表面上形成薄膜电路,该薄膜电路包括:用薄膜形成的布线图形;以及与该布线图形相连接、用薄膜形成的至少由电阻或/和电容器构成的电子元件,上述绝缘基体至少具有:形成在层间的导电体、形成在厚度方向上的第1、第2连接导体、以及在与上述导电体相连接的状态下形成在侧面上的电极部,上述第1连接导体与上述布线图形相连接,并且上述第2连接导体与收容在上述绝缘基体的凹部内的半导体裸芯片即IC芯片和上述布线图形相连接;在收容上述IC芯片的上述凹部内填充由绝缘材料构成的密封材料,使得上述密封材料与绝缘基体的下面相一致。 | ||
地址 | 日本东京都 |