| 主权项 |
1.一种多孔壳体之制造方法,其包括以下步骤: (1)冲孔; (2)冲压成型; (3)研磨; (4)阳极氧化; 其中该冲孔步骤系将金属片材经复数冲孔工站进 行连续冲孔,从而于该金属片材上形成预定蜂窝状 贯通孔,每一冲孔工站中至少有一台冲床,每一冲 床中至少设有一套冲模模具,每套冲模模具内安装 有依预定位置排列之复数冲头。 2.如申请专利范围第1项所述多孔壳体之制造方法, 其中该冲孔步骤中进一步包括对冲孔后之金属片 材按照该多孔壳体之形状进行下料形成坯料之步 骤。 3.如申请专利范围第1项所述多孔壳体之制造方法, 其中该冲头为圆形、矩形、三角形、椭圆形及其 他特殊形状之一种或前述几种形状之冲头组合使 用。 4.如申请专利范围第1项所述多孔壳体之制造方法, 其中该金属片材系藉由一料带连续输送至各工站 进行冲孔,该料带两侧设有导料装置,后部设有送 料装置。 5.如申请专利范围第4项所述多孔壳体之制造方法, 其中该冲模工站为4~10个。 6.如申请专利范围第1项所述多孔壳体之制造方法, 其中该研磨工艺为振动研磨工艺。 7.如申请专利范围第6项所述多孔壳体之制造方法, 其中该振动研磨工艺系采用陶瓷研磨石,并加入亮 光剂及清洁剂进行研磨。 8.如申请专利范围第1项所述多孔壳体之制造方法, 其中该阳极氧化系采用硫酸阳极氧化。 9.如申请专利范围第8项所述多孔壳体之制造方法, 其中该硫酸阳极氧化系于150~220g/L的硫酸溶液中进 行。 10.如申请专利范围第9项所述多孔壳体之制造方法 ,其中该硫酸阳极氧化时直流电压为10~18V,电流密 度为100.0~200.0A/m2,温度为10~25℃。 11.如申请专利范围第10项所述多孔壳体之制造方 法,其进一步包括于该阳极氧化后对该多孔壳体进 行着色处理之工序。 12.如申请专利范围第11项所述多孔壳体之制造方 法,其中该着色处理可为染料着色、整体着色及电 解着色工艺之一种。 13.一种多孔壳体之制造方法,其包括以下步骤: (1)冲孔; (2)冲压成型; (3)研磨; (4)阳极氧化; 其中该冲孔步骤系藉一料带将金属片材输送至复 数冲孔工站进行连续冲孔,不同工站完成不同位置 之孔之冲压,经全部工站冲孔完毕而于该金属片材 上形成预定蜂窝状贯通孔,每一冲孔工站中至少有 一台冲床,每一冲床中设有依预定位置排列之复数 冲头。 14.如申请专利范围第13项所述多孔壳体之制造方 法,其中该冲孔步骤中进一步包括对冲孔后之金属 片材按照该多孔壳体之形状进行下料形成坯料之 步骤。 15.如申请专利范围第13项所述多孔壳体之制造方 法,其中该冲头为圆形、矩形、三角形、椭圆形及 其他特殊形状之一种或前述几种形状之冲头组合 使用。 16.如申请专利范围第13项所述多孔壳体之制造方 法,其中该料带两侧设有导料装置,后部设有送料 装置。 17.如申请专利范围第13项所述多孔壳体之制造方 法,其中该研磨工艺为振动研磨工艺。 18.如申请专利范围第17项所述多孔壳体之制造方 法,其中该振动研磨工艺系采用陶瓷研磨石,并加 入亮光剂及清洁剂进行研磨。 19.如申请专利范围第13项所述多孔壳体之制造方 法,其中该阳极氧化系采用硫酸阳极氧化。 20.如申请专利范围第19项所述多孔壳体之制造方 法,其中该硫酸阳极氧化系于150~220g/L的硫酸溶液 中进行。 21.如申请专利范围第20项所述多孔壳体之制造方 法,其中该硫酸阳极氧化时直流电压为10~18V,电流 密度为100.0~200.0A/m2,温度为10~25℃。 22.如申请专利范围第13项所述多孔壳体制造方法, 其中该阳极氧化步骤后还包括一着色处理步骤,该 着色处理可为染料着色、整体着色及电解着色工 艺之一种。 图式简单说明: 第一图系本发明一实施例之多孔壳体之示意图。 |
