| 主权项 |
1.一种连接基板,其特征是具备: 选择性地去除由第1金属层及与该第1金属层不同 去除条件的第2金属层所构成的复合金属层之该第 1金属层而形成的连接用导体;及 以能够覆盖前述连接用导体的侧面之方式来形成 之1或2以上的绝缘树脂组成物层。 2.如申请专利范围第1项之连接基板,其中前述绝缘 树脂组成物层是在以绝缘树脂组成物来覆盖前述 连接用导体后,以该连接用导体能够露出之方式来 研磨该绝缘树脂组成物而形成者。 3.如申请专利范围第2项之连接基板,其中具有选择 性地去除前述第2金属层而形成的导体电路。 4.如申请专利范围第1、2或3项记载之连接基板,其 中前述连接用导体的露出部被以金属覆盖着。 5.如申请专利范围第1、2或3项记载之连接基板,其 中位于表面和背面之最外层的前述绝缘树脂组成 物之一边或两边主要是由热塑性树脂所形成。 6.一种连接基板的制造方法,其特征是包含: 至少由形成载子的第2金属层,与除去条件不同于 该第2金属层的第1金属层所形成的复合金属层,选 择性除去该第1金属层而形成连接用导体的工程, 以至少覆盖前述连接用导体侧面的方式形成1或2 层以上之绝缘树脂组成物层的工程,以及 以使前述连接用导体露出来的方式研磨前述绝缘 树脂组成物层的工程。 7.如申请专利范围第6项记载之连接基板的制造方 法,其中前述复合金属层是由前述第1金属层,及前 述第2金属层,及位于该第1金属层与该第2金属层的 中间,而除去条件与该第1、2金属层不同的第3金属 层所形成,在选择性除去前述第1金属层形成前述 连接用导体后,选择性除去该第3金属层。 8.如申请专利范围第6或7项记载之连接基板的制造 方法,其中对前述第2金属层之被形成前述绝缘树 脂组成物层的表面进行粗糙化处理。 9.如申请专利范围第6或7项记载之连接基板的制造 方法,其中更包含在以使前述连接用导体露出来的 方式研磨前述绝缘树脂组成物层之后,选择性除去 第2金属层并形成导体电路的工程。 10.如申请专利范围第6或7项记载之连接基板的制 造方法,其中更包含在以使前述连接用导体露出来 的方式研磨前述绝缘树脂组成物层之后,于露出来 的前述连接用导体的表面及/或以能包含前述连接 用导体表面之方式而形成之导体电路的表面再追 加形成金属皮膜的工程。 11.如申请专利范围第6或7项记载之连接基板的制 造方法,其中以覆盖前述连接用导体的方式载置至 少由1枚以上的绝缘树脂组成物所形成的接着剂薄 片,并以加热加压该接着剂薄片的方式形成前述 绝缘树脂组成物层。 12.如申请专利范围第6或7项记载之连接基板的制 造方法,其中将形成前述连接用导体的复合金属层 之没有形成该连接用导体之面侧面对面载置于面 积大于该面侧且刚性高之支撑基板的单面或者双 面,并在指定的制造工程全部终了之后使其脱离前 述支撑基板。 13.一种多层配线板,其特征是: 从申请专利范围第1、2、3、4或5项记载之连接基 板任意选择所得到的至少2个以上连接基板之各个 连接用导体彼此或者连接用导体与导体电路是藉 由固相金属扩散或者溶融接合使合金化而被导通 连接,且前述连接基板间则是以绝缘树脂组成物机 械性连接。 14.如申请专利范围第13项记载之多层配线板,其中 前述连接基板的绝缘树脂组成物层为液晶高分子 。 15.一种多层配线板的制造方法,其特征是包含: 使藉由申请专利范围第6、7、8、9、10、11或12项记 载之连接基板的制造方法所得到之至少2个以上的 连接基板对位的工程,及 以加热加压并一起层积被对位的各连接基板的 方式,使各个连接用导体彼此或者连接用导体与导 体电路藉由固相金属扩散或者溶融接合而合金化 以导通连接,而且使连接基板间以绝缘树脂组成物 机械性地连接起来的工程。 16.如申请专利范围第15项记载之多层配线板的制 造方法,其中在前述连接基板的绝缘树脂组成物层 使用液晶高分子。 17.如中请专利范围第15或16项记载之多层配线板的 制造方法其中包含在加热加压并一起层积之后 进而形成外层电路的工程。 18.如申请专利范围第15或16项记载之多层配线板的 制造方法,其中同时一起层积前述连接基板及具有 导体电路及/或金属箔的基板。 19.一种半导体封装用基板,其特征是: 使用申请专利范围第13或14项记载之多层配线板, 或者藉由申请专利范围第15、16、17或18项记载之 制造方法而得到的多层配线板所制造出来的半导 体封装用基板。 20.如申请专利范围第19项记载之半导体封装用基 板,其中在搭载半导体晶片之处具有孔穴(cavity)。 21.一种半导体封装用基板的制造方法,其特征是包 含: 申请专利范围第15、16、17或18项记载之多层配线 板的制造方法。 22.如申请专利范围第21项记载之半导体封装用基 板的制造方法,其中进而包含在搭载半导体晶片之 处形成孔穴的工程。 23.一种半导体封装,其特征是: 使用申请专利范围第19或20项记载之生导体封装用 基板所制造出来的半导体封装。 24.一种半导体封装的制造方法,其特征是包含: 申请专利范围第21或22项记载之半导体封装用基板 的制造方法。 25.如申请专利范围第24项记载之半导体封装的制 造方法,其中进而包含连接半导体晶片与导体电路 的工程。 26.如申请专利范围第24或25项记载之半导体封装的 制造方法,其中进而包含以树脂密封半导体品片的 工程。 图式简单说明: 第1图系说明本发明之实施型态的剖面图。 第2图系显示本发明之连接基板制造方法之一型态 的剖面图。 第3图系显示本发明之实施型态的剖面图。 第4图系显示本发明之连接基板制造方法之一型态 的剖面图。 第5图系显示一次层积本发明之连接基板来制造多 层配线板的模样的剖面图。 第6图系显示利用本发明之连接基板来制造半导体 封装用基板以及半导体封装的工程之一型态的剖 面图。 第7图系本发明实施例4中使用的连接电阻测定用 图案的规格图。 第8图(a)、(b)系本发明实施例4使用的连接电阻测 定样本制作的工程剖面图。 第9图系图示本发明实施例4评价的连接电阻信赖 性试验结果。 |
