发明名称 高功率发光二极体
摘要 一种高功率发光二极体,包含发光晶粒、散热基座、电极引脚、导电金属线、光学透镜、固合材料与充填材料。其中之散热基座可延伸出一电极引脚,使得散热基座与此电极引脚为一体成型之结构,另外,此散热基座底部可外露于固合材料,且使高功率发光二极体形成凸状底部。
申请公布号 TWM294097 申请公布日期 2006.07.11
申请号 TW095201713 申请日期 2006.01.25
申请人 亿光电子工业股份有限公司 发明人 刘邦言;庄世任;徐志宏
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 1.一种高功率发光二极体,包含: 一发光晶粒,用以产生光源; 一导线架,该导线架有一第一电极引脚, 一散热基座,具有一凹坑与一散热基座底部,且该 发光晶粒固接于该凹坑,其中该散热基座另外延伸 出一引脚成为一第二电极引脚,且该第一电极引脚 与该第二电极引脚成对应分布;以及 一导电金属线,分别连接该发光晶粒与该散热基座 及该第一电极引脚。 2.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体, 其中该散热基座为一金属材料。 3.如申请专利范围第2项所述之高功率发光二极体, 其中该金属材料为银、铝、铜或上述之组合物。 4.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体, 其中该散热基座之该凹坑固接复数个发光晶粒。 5.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体, 其中该散热基座底部包含一凸块,该凸块位于该高 功率发光二极体之底部。 6.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体, 其中该散热基座底部附着一散热层,且该散热层为 一散热材料,该散热材料包含钻石粉末。 7.如申请专利范围第5项所述之高功率发光二极体, 其中该凸块附着一散热层,且该散热层为一散热材 料,该散热材料包含钻石粉末。 8.一种高功率发光二极体,包含: 一发光晶粒,用以产生光源; 一导线架,该导线架具有一第一电极引脚, 一散热基座,具有一凹坑与一散热基座底部,且该 发光晶粒固接该凹坑,其中该散热基座另外延伸出 一引脚成为一第二电极引脚,且该第一电极引脚与 该第二电极引脚成对应分布; 一导电金属线,分别连接该发光晶粒与该散热基座 及该第一电极引脚; 一透镜,该透镜为一光学透镜,并覆盖于该发光晶 粒之上; 一固合材料,该固合材料固接该散热基座与该导线 架及该光学透镜;以及 一充填材料,该充填材料充填该光学透镜下之空间 ,同时稳固该发光晶粒与该导电金属线; 其中,该散热基座底部可外露于该固合材料。 9.如申请专利范围第8项所述之高功率发光二极体, 其中该散热基座之该凹坑固接复数个发光晶粒。 10.如申请专利范围第8项所述之高功率发光二极体 ,其中该散热基座为一金属材料。 11.如申请专利范围第10项所述之高功率发光二极 体,其中该金属材料为银、铝、铜或上述之组合。 12.如申请专利范围第8项所述之高功率发光二极体 ,其中该散热基座底部附着一散热层,且该散热层 为一散热材料,其中该散热材料包含钻石粉末。 13.如申请专利范围第8项所述之高功率发光二极体 ,其中该散热基座底部包含一凸块,该凸块位于该 高功率发光二极体之底部。 14.如申请专利范围第13项所述之高功率发光二极 体,其中该凸块附着一散热层,且该散热层为一散 热材料,其中该散热材料包含钻石粉末。 15.如申请专利范围第13或14项所述之高功率发光二 极体,其中该凸块固接于一基板上。 16.如申请专利范围第8项所述之高功率发光二极体 ,其中该固合材料为一树酯材料。 17.如申请专利范围第8项所述之高功率发光二极体 ,其中该充填材料为一树酯材料。 图式简单说明: 第1图系绘示依照之一种习知高功率发光二极体之 剖面示意图。 第2图系绘示依照本创作一较佳实施例之一种高功 率发光二极体的剖面图。 第3图系绘示依照本创作另一实施例之一种高功率 发光二极体与基材的组合图。
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