| 主权项 |
1.一种氮化镓系化合物半导体发光元件,系将由氮 化镓系化合物半导体所构成之n型半导体层、发光 层及p型半导体层依此顺序而设置在基板上,发光 层及p型半导体层之一部份系连通而以反应性离子 蚀刻法除去,在所露出之n型半导体层上设置负极, 在其他部份之p型半导体层上设置正极,且以仅使 用四氯化矽作为该反应性离子蚀刻之蚀刻气体来 制造。 2.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中反应性离子蚀刻之蚀刻速率为5奈 米/分钟以上、100奈米/分钟以下。 3.如申请专利范围第2项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中反应性离子蚀刻之蚀刻速率为15奈 米/分钟以上。 4.如申请专利范围第2项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中反应性离子蚀刻之蚀刻速率为25奈 米/分钟以下。 5.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其中负极之接于n型半导体层之层系含 有Ti和/或Cr。 6.如申请专利范围第1项之氮化镓系化合物半导体 发光元件,其为覆晶型。 图式简单说明: 第1图系展示以往之覆晶型化合物半导体发光元件 之一般性结构示意图。 第2图系经以实施例1所制得之氮化镓系化合物半 导体发光元件剖面图。 第3图系经以实施例1所制得之氮化镓系化合物半 导体发光元件俯视图。 |
